11日，由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目芯片生產機臺正式進場安裝。
這標誌著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，中國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將於年內量產。這亦為武漢市以及東湖高新區打造以芯片-顯示-智能終端為核心的萬億級高端消費電子產業集群目標邁出的關鍵性一步。
據悉，國家存儲器基地於去年成功研發中國首顆32層三維NAND閃存芯片，並榮獲中國電子信息博覽會（CITE2018）金獎。這顆耗資10億美元、由1000人團隊歷時2年自主研發的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，將有望使中國進入全球存儲芯片第一梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。
為填補國內主流存儲器領域空白，保障國家信息安全，國家存儲器基地項目於2016年12月30日在武漢未來科技城正式開工建設。
該項目一期規劃投資240億美元，占地面積1968畝，將建設3座全球單座潔凈面積最大的三維NAND Flash生產廠房，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。其中一號生產及動力廠房已於去年9月提前封頂，年內即將投入使用。項目（一期）達產後，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元，有望解決我國受制於他人的“工業糧食”痛點問題，並帶動國產設備等產業鏈上下遊企業迅猛發展。
據了解，目前東湖高新區已聚集以長江存儲、武漢新芯為龍頭的集成電路企業百余家，2017年實現主營業務收入135億元，專業從業人員近萬人。未來，在加快實現存儲器芯片量產的同時，東湖高新區還將加大設計、設備、材料、封測、存儲控制等企業的招引力度，打造存儲器全產業鏈。
在發展集成電路產業的同時，武漢東湖高新區還以武漢天馬、武漢華星光電為龍頭，推動新型顯示領域發展，以華為、聯想 MOTO、小米為龍頭，推動智能終端領域發展，目標是在“芯片-顯示-終端”核心領域，聚集一批龍頭企業和優質中小企業，形成產業創新發展策源地，打造完整產業生態，形成萬億產業集群。