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消息稱蘋果iPhone 7要漲價 都怪NAND閃存太貴

據媒體報道,有業內人士表示,因為iPhone 7所配備的256GB存儲容量需求強勁,NAND閃存將可能出現供不應求的狀況,其價格將繼續飆升直至今年第四季度。這或許意味著iPhone 7最終的零售價可能會因此而提高

報道稱,目前主要的NAND芯片供應商,包括三星電子和海力士都提高了閃存芯片的價格。不僅是256GB容量會加價,據傳iPhone標配的容量也將悄悄漲價,這意味著iPhone 7的價格最低容量也將高過目前iPhone 6s的5288元的售價。

蘋果是影響NAND閃存芯片市場表現的關鍵因素。蘋果推出的iPhone 6和iPhone 6s系列,占到了去年NAND閃存芯片約15%的供貨量。

不過,按照業內人士的說法,如果新款iPhone的銷量令人失望的話,那麽NAND閃存的價格可能從明年第一季度開始出現回落。

此前,蘋果中國官網已經率先開賣了兩款適配iPhone 7耳機接口的耳機,均來自第三方品牌Audeze,售價分別為人民幣6498元、5698元,價格幾乎與蘋果最新款的iP

消息 蘋果 iPhone 漲價 都怪 NAND 閃存 太貴
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中國在3D NAND存儲器研發領域取得標誌性進展

2月16日據中科院網站消息,近日,由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。據長江存儲CEO楊士寧在IC咖啡首屆國際智慧科技產業峰會(ICTech Summit 2017)上介紹,32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試,達到預期要求。該款存儲器芯片由長江存儲與微電子所三維存儲器研發中心聯合開發,在微電子所三維存儲器研發中心主任、長江存儲NAND技術研發部項目資深技術總監霍宗亮的帶領下,成功實現了工藝器件和電路設計的整套技術驗證,向產業化道路邁出具有標誌性意義的關鍵一步。

在大數據需求驅動下,存儲器芯片已是電子信息領域占據市場份額最大的集成電路產品。我國在存儲器芯片領域長期面臨市場需求大而自主知識產權和關鍵技術缺乏的困境,開展大容量存儲技術的研究和相關產品研制迫在眉睫。傳統平面型NAND存儲器在降低成本的同時面臨單元間串擾加劇和單字位成本增加等技術瓶頸。尋求存儲技術階躍性的突破和創新,是發展下一代存儲器的主流思路。

3D NAND是革新性的半導體存儲技術,通過增加存儲疊層而非縮小器件二維尺寸實現存儲密度增長,從而拓寬了存儲技術的發展空間,但其結構的高度複雜性給工藝制造帶來全新的挑戰。經過不懈努力,工藝團隊攻克了高深寬比刻蝕、高選擇比刻蝕、疊層薄膜沈積、存儲層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關鍵技術難點,為實現多層堆疊結構的3D NAND陣列打下堅實基礎。

存儲器的可靠性是影響產品品質的重要一環,主要評估特性包括耐久性、數據保持特性、耦合和擾動,國際上在3D NAND領域的公開研究結果十分有限。器件團隊通過大量的實驗和數據分析,尋找影響各種可靠性特性的關鍵因素,並和工藝團隊緊密協作,完成了器件各項可靠性指標的優化,最終成功實現了全部可靠性參數達標。

在電路設計層面,堆疊三維陣列的集成研發面臨比平面型NAND更複雜的技術問題,需要結合三維器件及陣列結構特點進行分析和優化。設計團隊對三維存儲結構進行建模,采用根據層數可調制的編程、讀取電壓配置,補償了器件特性隨陣列物理結構的分布差異,降低了單元串擾影響。並且,應用了諸多創新性的先進設計技術,保證了芯片達到產品級的功能和性能指標。

3D NAND存儲器芯片研發系列工作得到了國家集成電路產業基金、紫光控股、湖北省國芯投資、湖北省科投的大力支持。

中國 3D NAND 存儲器 存儲 研發 領域 取得 標誌性 標誌 進展
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首批“中國造”32層三維NAND閃存芯片年內量產

11日,由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目芯片生產機臺正式進場安裝。

這標誌著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段,中國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將於年內量產。這亦為武漢市以及東湖高新區打造以芯片-顯示-智能終端為核心的萬億級高端消費電子產業集群目標邁出的關鍵性一步。

據悉,國家存儲器基地於去年成功研發中國首顆32層三維NAND閃存芯片,並榮獲中國電子信息博覽會(CITE2018)金獎。這顆耗資10億美元、由1000人團隊歷時2年自主研發的芯片,是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片,將有望使中國進入全球存儲芯片第一梯隊,有力提升“中國芯”在國際市場的地位。

為填補國內主流存儲器領域空白,保障國家信息安全,國家存儲器基地項目於2016年12月30日在武漢未來科技城正式開工建設。

該項目一期規劃投資240億美元,占地面積1968畝,將建設3座全球單座潔凈面積最大的三維NAND Flash生產廠房,其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。其中一號生產及動力廠房已於去年9月提前封頂,年內即將投入使用。項目(一期)達產後,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元,有望解決我國受制於他人的“工業糧食”痛點問題,並帶動國產設備等產業鏈上下遊企業迅猛發展。

據了解,目前東湖高新區已聚集以長江存儲、武漢新芯為龍頭的集成電路企業百余家,2017年實現主營業務收入135億元,專業從業人員近萬人。未來,在加快實現存儲器芯片量產的同時,東湖高新區還將加大設計、設備、材料、封測、存儲控制等企業的招引力度,打造存儲器全產業鏈。

在發展集成電路產業的同時,武漢東湖高新區還以武漢天馬、武漢華星光電為龍頭,推動新型顯示領域發展,以華為、聯想 MOTO、小米為龍頭,推動智能終端領域發展,目標是在“芯片-顯示-終端”核心領域,聚集一批龍頭企業和優質中小企業,形成產業創新發展策源地,打造完整產業生態,形成萬億產業集群。

首批 中國 32 三維 NAND 閃存 芯片 年內 量產
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