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點睛丨國家存儲器基地開工 芯片龍頭受益

據新華社2日消息，總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區正式開工。2020年全面建成後，年產值將超過100億美元，實現我國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破。

CBN點評：國家存儲器基地項目建成後，還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展，為行業發展起到推動作用。A股市場相關概念股紫光國芯、深科技(000021.SZ)、音飛儲存(603066.SH)以及長電科技(600584.SH)等有望受益。

芯片國產化是我國在信息安全自主可控政策的實踐領域之一，作為信息技術的基礎產業，半導體集成電路持續受到了國家政策的扶持。而存儲器是集成電路產業的基礎產品之一，產品的成熟度和產業的規模效應均較為顯著，國家存儲器基地的建立，標誌著芯片國產化之路邁出可靠而重要的一步。

據介紹，此次開工的國家存儲器基地項目位於武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若幹配套建築，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

存儲器芯片市場是全球壟斷最為嚴重的芯片細分市場，DRAM和NANDFLASH芯片市場長期被韓國美日壟斷，尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首，共占據了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國於2013年發布了自主研發的55納米相變存儲芯片，成為繼美國和韓國後，全球第三個掌握相變存儲技術的國家。

在半導體產業上升為國家戰略的大背景下，我國芯片產業鏈上的企業發展前景值得期待。從上市公司來看，紫光國芯是國內IC設計龍頭企業，主要產品包括智能芯片、特種集成電路及存儲芯片。公司技術積累雄厚，市場優勢突出，是國內稀缺的IC設計、制造平臺型公司。 （孟紅）