總投資240億美元 世界級存儲器基地落戶武漢光谷

總投資240億美元 世界級存儲器基地落戶武漢光谷

一財網 周芳 2016-03-28 11:09:00

為保證該項目順利實施，國家集成電路產業投資基金股份有限公司、湖北省集成電路產業投資基金股份有限公司、國開發展基金有限公司、湖北省科技投資集團有限公司共同出資作為股東，在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎上組建一家存儲器公司作為存儲器基地項目實施主體公司。

點睛丨國家存儲器基地開工 芯片龍頭受益

據新華社2日消息，總投資240億美元的國家存儲器基地項目近日在武漢東湖高新區正式開工。2020年全面建成後，年產值將超過100億美元，實現我國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破。

CBN點評：國家存儲器基地項目建成後，還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展，為行業發展起到推動作用。A股市場相關概念股紫光國芯、深科技(000021.SZ)、音飛儲存(603066.SH)以及長電科技(600584.SH)等有望受益。

芯片國產化是我國在信息安全自主可控政策的實踐領域之一，作為信息技術的基礎產業，半導體集成電路持續受到了國家政策的扶持。而存儲器是集成電路產業的基礎產品之一，產品的成熟度和產業的規模效應均較為顯著，國家存儲器基地的建立，標誌著芯片國產化之路邁出可靠而重要的一步。

據介紹，此次開工的國家存儲器基地項目位於武漢東湖高新區武漢未來科技城，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若幹配套建築，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

存儲器芯片市場是全球壟斷最為嚴重的芯片細分市場，DRAM和NANDFLASH芯片市場長期被韓國美日壟斷，尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首，共占據了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國於2013年發布了自主研發的55納米相變存儲芯片，成為繼美國和韓國後，全球第三個掌握相變存儲技術的國家。

在半導體產業上升為國家戰略的大背景下，我國芯片產業鏈上的企業發展前景值得期待。從上市公司來看，紫光國芯是國內IC設計龍頭企業，主要產品包括智能芯片、特種集成電路及存儲芯片。公司技術積累雄厚，市場優勢突出，是國內稀缺的IC設計、制造平臺型公司。 （孟紅）

中國在3D NAND存儲器研發領域取得標誌性進展

2月16日據中科院網站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)與中國科學院微電子研究所聯合承擔的3D NAND存儲器研發項目取得新進展。據長江存儲CEO楊士寧在IC咖啡首屆國際智慧科技產業峰會(ICTech Summit 2017)上介紹，32層3D NAND芯片順利通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求。該款存儲器芯片由長江存儲與微電子所三維存儲器研發中心聯合開發，在微電子所三維存儲器研發中心主任、長江存儲NAND技術研發部項目資深技術總監霍宗亮的帶領下，成功實現了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，向產業化道路邁出具有標誌性意義的關鍵一步。

在大數據需求驅動下，存儲器芯片已是電子信息領域占據市場份額最大的集成電路產品。我國在存儲器芯片領域長期面臨市場需求大而自主知識產權和關鍵技術缺乏的困境，開展大容量存儲技術的研究和相關產品研制迫在眉睫。傳統平面型NAND存儲器在降低成本的同時面臨單元間串擾加劇和單字位成本增加等技術瓶頸。尋求存儲技術階躍性的突破和創新，是發展下一代存儲器的主流思路。

3D NAND是革新性的半導體存儲技術，通過增加存儲疊層而非縮小器件二維尺寸實現存儲密度增長，從而拓寬了存儲技術的發展空間，但其結構的高度複雜性給工藝制造帶來全新的挑戰。經過不懈努力，工藝團隊攻克了高深寬比刻蝕、高選擇比刻蝕、疊層薄膜沈積、存儲層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關鍵技術難點，為實現多層堆疊結構的3D NAND陣列打下堅實基礎。

存儲器的可靠性是影響產品品質的重要一環，主要評估特性包括耐久性、數據保持特性、耦合和擾動，國際上在3D NAND領域的公開研究結果十分有限。器件團隊通過大量的實驗和數據分析，尋找影響各種可靠性特性的關鍵因素，並和工藝團隊緊密協作，完成了器件各項可靠性指標的優化，最終成功實現了全部可靠性參數達標。

在電路設計層面，堆疊三維陣列的集成研發面臨比平面型NAND更複雜的技術問題，需要結合三維器件及陣列結構特點進行分析和優化。設計團隊對三維存儲結構進行建模，采用根據層數可調制的編程、讀取電壓配置，補償了器件特性隨陣列物理結構的分布差異，降低了單元串擾影響。並且，應用了諸多創新性的先進設計技術，保證了芯片達到產品級的功能和性能指標。

3D NAND存儲器芯片研發系列工作得到了國家集成電路產業基金、紫光控股、湖北省國芯投資、湖北省科投的大力支持。

一財點睛丨量子存儲器研發獲突破 助量子通信發展

中國科學技術大學教授潘建偉和包小輝等采用冷原子系綜，在國際上首次研制出百毫秒級高效量子存儲器，為遠距離量子中繼系統的構建奠定了堅實基礎。該成果日前發表在國際權威學術期刊《自然·光子學》上。這為我國量子通信進一步發展提供助力，量子通信發展有望提速。

所謂量子通信是指利用量子糾纏效應進行信息傳遞的一種新型的通訊方式。經過二十多年的發展，量子通信這門學科已逐步從理論走向實驗，並向實用化發展，主要涉及的領域包括：量子密碼通信、量子遠程傳態和量子密集編碼等。量子通信具有高效率和絕對安全等特點，是目前國際量子物理和信息科學的研究熱點。

近年來，網絡安全問題一直頗受世界關註，各種網絡安全事件頻出。隨著“棱鏡門”等事件的發展和全球政治形勢的變化，信息安全引起世界各國重視。量子通信系統的問世,解決了未來量子計算時代的網絡安全問題。而在量子保密通信應用領域，我國走在了世界前列。

2012年，中國科學家、中科大教授潘建偉等人在國際上首次成功實現百公里量級的自由空間量子隱形傳態和糾纏分發，研發出毫秒級的高效量子存儲器，為發射全球首顆“量子通訊衛星”奠定技術基礎。2016年8月16日，由我國科學家自主研制的世界首顆量子科學實驗衛星“墨子號”發射升空，將在世界上首次實現衛星和地面之間的量子通信。

然而，2012年研發的存儲器其存儲時間仍與遠距離量子中繼的實際需求相距較遠。近年來，潘建偉團隊發展了三維光晶格限制原子運動等多項關鍵實驗技術，使得原子運動導致的退相幹得到大幅抑制，並最終成功實現了存儲壽命達到0.22秒、讀出效率達到76%的高性能量子存儲器。此次，潘建偉團隊研發出了百毫秒級高效量子存儲器，進一步提升存儲時間，將有助於推動我國量子通信進一步發展。

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東芝存儲器出售通過中國反壟斷審查

據日本當地媒體報道，東芝17日宣布，半導體子公司“東芝存儲器”（東京）的出售程序通過了中國的《反壟斷法》審查。必要的各國批準均已獲得，以2萬億日元（約合人民幣1150億元）出售給美國基金貝恩資本為主的“日美韓聯合體”的事宜確定了下來。東芝將如何描繪曾經賺取大部分利潤的東芝存儲器脫手後的發展戰略，成為一大經營課題。

日美韓聯合體付完資金，預計6月1日完成出售。中國的審查從去年12月開始，但也受到了美中貿易摩擦的影響，一度進展艱難。

東芝曾預備在審查期限的本月28日仍未獲批的情況，探討了東芝存儲器實施首次公開募股（IPO）等替代方案。

不過最終確定按計劃出售，東芝將獲得約1萬億日元的出售收益，財務狀況進一步改善。公司計劃年內發布匯總東芝存儲器出售後發展戰略的為期5年的中期經營計劃，把資金投向增長領域。

日美韓聯合體由貝恩資本、蘋果等美國IT巨頭、韓國半導體巨頭SK海力士等構成。東芝也參與其中，預計繼續持有東芝存儲器約40%的表決權。由於確定出售，東芝存儲器將能更加積極地開展設備投資，增強生產設備，對抗競爭對手韓國三星電子。

東芝去年9月為改善財務狀況決定向日美韓聯合體出售。不過由於12月實施了約6000億日元的第三方定向增發，在完成出售前就解決了曾懸而不決的資不抵債問題。